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PIP-MOS管

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MOS高压场效应450v 11A 0.5Ω管 产品型号：PTA11N45

  • MOS高压场效应450v 11A 0.5Ω管
产品简介：PIP高压场效应管，额定电压450v；额定电流11A；阻值范围0.39Ω~0.5Ω；阈值电压（Vth）范围2V~4V；导通栅极电荷量28nc；Ciss寄生电容1250pF。
重点参数：
额定电压(DC)
 450V
 寄生电容 1250pF
额定电流 11A 电阻范围 0.39Ω~0.5Ω
产品应用：

产品详情

PIP-MOS场效应管
额定电压 450V
额定电流
 11A
阻值范围
 0.39Ω~0.5Ω
阈值电压（Vth）
 2V~4V
导通栅极电荷量（og,nc）
 28nc
寄生电容（Ciss）
 1250pF
规格书 预览/下载


封装类型

TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247


产品应用

产品应用领域广泛， 涵盖电子类多个领域， 如消费电子、智能家居、智能照明、工控设备、电动汽车等；


相关知识

1、Ciss寄生电容，最大限度降低开关损耗，提高转换效率，另外极低的寄生电容能够有效改善EMI电磁干扰。

2、RDSON为内阻，作为开关电源的主开关MOS，以上都能能够满足大部分的应用需求。

3、Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完全打开，Gate极所需要的电荷量。

4、Vth通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

产品报价：MOS高压场效应450v 11A 0.5Ω管

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