MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在电机驱动电路中扮演核心开关角色，其工作原理基于电场控制导电沟道的形成与断开，从而实现高效、快速的电流通断控制。以下从结构特性、工作模式、驱动逻辑及实际应用四个层面展开分析：

一、MOSFET的核心结构与特性

MOSFET由源极、漏极、栅极和衬底构成，其导电通道分为N沟道和P沟道两种类型。以N沟道增强型MOSFET为例，其工作原理依赖栅极电压(Vgs)控制源漏极间导电沟道的形成：

关断状态：当Vgs低于阈值电压(Vth，通常2-4V)时，P型衬底与N+源漏区间的PN结反向偏置，沟道未形成，源漏极间呈现高阻态，电流几乎为零。

导通状态：当Vgs超过Vth时，栅极下方形成N型反型层，连接源漏极形成导电通道。此时漏极电流(Id)随Vgs升高而线性增加，导通电阻(Rds(on))显著降低(可低至毫欧级)。

二、电机驱动中的工作模式

在电机驱动电路(如H桥)中，MOSFET通常以互补对管形式工作，通过交替导通实现电机正反转、调速及制动控制。以直流有刷电机驱动为例：

正转控制：

上管(PMOS)关断，下管(NMOS)导通：电流从电源正极→下管→电机→地，形成正向电流回路。

关键参数：NMOS的Vgs需超过阈值电压(如10V)，同时确保漏源电压(Vds)不超过最大耐压值(如60V)。

反转控制：

下管(NMOS)关断，上管(PMOS)导通：电流从电源正极→上管→电机→地，形成反向电流回路。

PMOS的驱动逻辑与NMOS相反，需负电压或专用驱动芯片实现。

制动模式：

上下管同时关断：电机惯性产生的反电动势通过续流二极管形成回路，实现快速制动。

高端管需具备体二极管反向恢复特性，避免电压尖峰损坏器件。

三、驱动电路的关键设计

栅极驱动电压：

NMOS需正电压驱动(如10-15V)，PMOS需负电压或专用驱动芯片(如IR2110)实现电平转换。

驱动电压不足会导致导通电阻增大，引发发热问题;电压过高可能击穿栅氧层。

死区时间控制：

H桥上下管切换时需插入死区时间(通常100-500ns)，防止直通短路。

专用驱动芯片(如LM5106)内置死区时间生成电路，确保安全切换。

续流二极管选择：

电机电感在开关瞬间会产生反电动势，需并联快恢复二极管(如肖特基二极管)提供续流路径。

二极管反向恢复时间(Trr)需小于死区时间，避免电压尖峰。

四、典型应用场景

无人机电调（ESC）：

使用6个MOSFET(三相全桥)驱动无刷电机，开关频率达20-50kHz。

关键需求：低导通电阻(<5mΩ)、高开关速度(<50ns)、强抗干扰能力。

电动汽车主驱逆变器：

采用SiC MOSFET模块，耐压1200V，电流密度达500A/cm2。

优势：相比IGBT，开关损耗降低70%，效率提升3-5%。

步进电机驱动器：

通过H桥实现微步控制，MOSFET需支持高频PWM(如20kHz)以降低噪音。

典型参数：Vgs=12V，Rds(on)=10mΩ，Qg=50nC。

MOSFET在电机驱动中通过电场控制实现高效电流通断，其核心优势在于低导通损耗、高开关速度及强抗干扰能力。通过材料创新(如SiC)、驱动优化(死区控制)及热管理升级，MOSFET已成为电机驱动领域的主流功率器件，推动电动汽车、工业自动化等场景向更高效率、更小体积演进。